VN716M 

MODULAR MOSFET POWER AMP


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El VN716M es un sistema modular de amplificadores de potencia, diseñado para satisfacer la necesidad de múltiples canales como es el caso de home theater o el surround sound system.

Cada módulo tiene su propia fuente de poder y es totalmente independiente de los demás.

Los módulos pueden agruparse en cantidad necesaria, desde 1 hasta 5 unidades, en el mismo gabinete, resultando una solución flexible para todo problema.

Cada módulo construido con componentes discretos, realimentación negativa, local y global, drivers MOSFET y transistores de salida MOSFET.

La velocidad de sus dispositivos y su gran ancho de banda le otorgan una dinámica de excepción, además de un sonido claro y pleno.

Sus componentes electrónicos, eléctricos y mecánicos son de la más alta calidad, dando por resultado un producto de performance premium.

Recomemdamos ver la sección MOSFET Technology dentro de este sitio web para un profundo estudio sobre esta tecnología. Allí encontrará también las ventajas de los amplificadores realimentados local y globalmente, y los diseños con componentes discretos.

Desde el punto de vista circuital el VN716M tiene una topología de cuatro etapas con las siguientes características:

    -etapa de entrada: con ganancia de tensión y realimentación local.

    -segunda etapa: elimina efecto de carga sobre la etapa de entrada.

    -tercera etapa: con ganancia de tensión, realimentación local y transistores excitadores (drivers) MOSFET.

    -cuarta etapa: ganancia de corriente, multiples MOSFET en paralelo como dispositivo de salida.


El VN716M tiene un sofisticado circuito de protección, no invasivo, que protege al amplificador de: cortocircuitos, aún si se producen en funcionamiento a máxima potencia, baja impedancia, presencia de DC y sobreelevación de temperatura.

El VN716M esta construido en base a un chasis de fundición de aluninio normalizado en 19' y 4 unidades de rack, respondiendo normas DIN, SAE, IEC, AFNOR.


Especificaciones Técnicas:

- Transistores de salida MOSFET, excitadores (drivers) MOSFET.

- Totalmente diseñado con componentes discretos.

- Protección total.

- Distorsión armónica total: 0.01% THD.

- Ancho de banda:  0.1Hz a 146 KHz  a -3db.

- Potencia en la carga: 120W RMS sobre 8ohms, 200W RMS sobre 4ohms por canal (@ 220V).

- Factor de amortiguamiento (damping factor) >700

- Entradas desbalanceadas.

- Cables libres de oxígeno.

- Soldaduras con saturación de plata (Ag).

- Transformador toroidal.

- 10.000 uf de filtrado. 

- Fuente regulada de tensión para la polarización.

- Gabinete normalizado 19', 4 unidades de rack.

- Alimentación: 220V 50/60 hz

Opciones:

              Entradas balanceadas: puede agregarse entrada diferencial activa.

                                Para mayor información ver la sección Balanced   


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