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VN706 STEREO MOSFET POWER AMP English version
El VN 706 es un amplificador de potencia de audio construido con componentes discretos, realimentación negativa, local y global, drivers MOSFET y transistores de salida MOSFET. La velocidad de sus dispositivos y su gran ancho de banda le otorgan una dinámica de excepción, además de un sonido claro y pleno. Sus componentes electrónicos, eléctricos y mecánicos son de la más alta calidad, dando por resultado un producto de performance premium. Recomemdamos ver la sección
Tecnología MOSFET dentro de este sitio web para un profundo estudio sobre esta tecnología. Allí
encontrará también las ventajas de los amplificadores realimentados local y
globalmente, y los
diseños con componentes discretos.
Desde el punto de vista circuital el VN706 tiene una topología de cuatro etapas con las siguientes características: -etapa de entrada: con ganancia de tensión y realimentación local. -segunda etapa: elimina efecto de carga sobre la etapa de entrada. -tercera etapa: con ganancia de tensión, realimentación local y transistores excitadores (drivers) MOSFET. -cuarta etapa: ganancia de corriente, multiples MOSFET en paralelo como dispositivo de salida.
El VN 706 esta construido en base a un chasis de fundición de aluninio normalizado en 19' y 4 unidades de rack, respondiendo normas DIN, SAE, IEC, AFNOR.
- Totalmente diseñado con componentes discretos. - Protección total. - Distorsión armónica total: 0.01% THD. - Ancho de banda: 0.1Hz a 146 KHz a -3db. - Potencia en la carga: 265W RMS sobre 8ohms, 380W RMS sobre 4ohms por canal (@ 220V). - Factor de amortiguamiento (damping factor) >700 - Entradas desbalanceadas. - Cables libres de oxígeno. - Soldaduras con saturación de plata (Ag). - Transformadores toroidales (2). - 60.000 uf de filtrado. - Fuente regulada de tensión para la polarización. - Gabinete normalizado 19', 4 unidades de rack. Opciones: Entradas balanceadas: puede agregarse entradas diferencial con dos opciones: 1) pasiva a transformador (Lundahl LL1527A) 2) activa con amplificador diferencial de instrumentación. Para mayor información ver la sección Balanceado
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Transistores MOSFET's medidos uno
por uno.