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EL TRANSISTOR MOSFET METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFECT TRANSISTOR El transistor MOSFET de potencia es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total. Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. Cada fabricante ha desarrollado su propia tecnología para su integración, por ello se los conoce como VMOS, UMOS, TMOS, HEXFET, refiríendose con la primera letra a la geometría del integrado resultante. Es un dispositivo controlado por tensión, esto quiere decir que la corriente de drain es función de la tensión de gate. En la figura siguiente se muestra esta curva característica de tranferencia.
La transconductancia, siempre creciente con la corriente de drain, es la responsable del sonido característico o timbre de estos dispositivos, las componentes armónicas de la distorsión caen fuertemente más alla de la segunda. Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando, así, lo que se denomina distorsión por fase. Los MOSFET de potencia presentan una impedancia de entrada muy alta. En consecuencia el circuito driver es de muy baja potencia, aumentando el rendimiento global del amplificador, y aumentando el tiempo medio entre fallas por haber menor número de transistores. En diseños de alta potencia los transistores MOSFET pueden aparearse para entregar mayor corriente a la carga, resultando esta configuración muy estable termicamente. Contáctenos info@vn-amps.com.ar
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