MOSFET Vs. BJT
Los transistores bipolares de juntura, BJT, reemplazaron a las válvulas en los inicios del estado sólido. Son dispositivos controlados por corriente, esto quiere decir que la corriente de colector es función de la corriente de base.
La figura siguiente muestra la característica de transferencia hfe de un transistor MJ15022.
La falta de linealidad, sobre todo a altas corrientes, introduce distorsión armónica. El hecho que hfe disminuya con el aumento de corriente indica que la composición armónica de la distorsión tiene componentes importantes más allá de la tercera armónica, las cuales el oido no enmascara.
El circuito excitador o driver de una etapa de salida BJT maneja corriente de elevado valor, es en sí un circuito de potencia. La configuración más común de excitador-transistor, el par Darlington, tiene por objeto mejorar la amplificación de corriente, pero empeora el ancho de banda y la distorsión.
Otra limitación de los transistores BJT es que tanto electrones como huecos contribuyen a la conducción. La presencia de huecos y su menor movilidad causa que los BJT requieran mayor corriente y tiempo para conmutar. El resultado es menor ancho de banda.
Los BJT presentan otro fenómeno limitante llamado ¨segunda ruptura¨ la cual impone extremo cuidado en el manejo de potencia de cada transistor de la etapa.
Los BJT son inestables desde el punto de vista térmico. El circuito inestable es así: al aumentar la temperatura disminuye Vbe, al disminuir Vbe aumenta Ic, al aumentar Ic aumenta nuevamente la temperatura, a este fenómeno se lo llama embalamiento térmico.
Los MOSFET de potencia aventajan a los TBJ en todos sus aspectos:
-la transconductancia de un MOSFET aumenta con la corriente,comportándose mejor frente a la distorsión, ver PAPER .
-Menor circuito excitador.
-Mayor área de operación segura.
-Mayor ancho de banda.
-Estable desde el punto de vista térmico.
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